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Número de pieza(s) : MAPLST2122-015CF
Tyco Electronics
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 15W, 28V
Número de pieza(s) : MAPLST2122-090CF
Tyco Electronics
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 90W, 28V
Número de pieza(s) : MAPLST2122-030CF
Tyco Electronics
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 30W, 28V
Número de pieza(s) : MAPLST2122-060CF
Tyco Electronics
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 60W, 28V
Número de pieza(s) : PTF210901 PTF210901E
Infineon Technologies
componentes Descripción : LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110–2170 MHz
Número de pieza(s) : PTF210451
Infineon Technologies
componentes Descripción : LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110–2170 MHz
Número de pieza(s) : PTF210451E
Infineon Technologies
componentes Descripción : LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110–2170 MHz (Rev - 2003)
Número de pieza(s) : PTF210301A PTF210301E PTF210301
Infineon Technologies
componentes Descripción : LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110–2170 MHz
Número de pieza(s) : PTF211802A PTF211802 PTF211802E
Infineon Technologies
componentes Descripción : LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110–2170 MHz
Número de pieza(s) : PTF211301 PTF211301A
Infineon Technologies
componentes Descripción : LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110–2170 MHz
Número de pieza(s) : PTFB213004FV2R250XTMA1 PTFB213004FV2R0XTMA1 PTFB213004F PTFB213004FV2R0 PTFB213004FV2R250
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 – 2170 MHz
Número de pieza(s) : PTFB213004F PTFB213004FV2 PTFB213004FV2R250
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 – 2170 MHz (Rev - 2010)
Número de pieza(s) : PTF210101M
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 – 2170 MHz
Número de pieza(s) : PTFB213004FV2R250 PTFB213004FV2R0 PTFB213004F PTFB213004F-V2-R0 PTFB213004F-V2-R250
Cree, Inc
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 – 2170 MHz
Número de pieza(s) : MAPLST2122-030CF
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
componentes Descripción : LDMOS RF Line Power FET Transistor 30 W , 2110-2170 MHz, 28V
Número de pieza(s) : MAPL-000817-015CPC-072706 MAPL-000817-015CPC
Tyco Electronics
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 800—1700 MHz, 15W, 26V
Número de pieza(s) : MAPL-000817-015C00
Tyco Electronics
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 800—1700 MHz, 15W, 26V
Número de pieza(s) : MAPLST1617-030CF
Tyco Electronics
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 1600 — 1700 MHz, 30W, 28V
Número de pieza(s) : MAPLST0822-002PP
Tyco Electronics
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 800—2200 MHz, 2W, 28V
Número de pieza(s) : UF2815B
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
componentes Descripción : RF Power MOSFET Transistor 15W, 100-500 MHz, 28V (Rev - V2)
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